Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie

Eine abbildende Optik (9) für die EUV-Mikrolithographie hat eine Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M7), die Abbildungslicht (14) zwischen einem Objektfeld (5) und einem Bildfeld (10) führen. Bei einem ersten Aspekt der abbildenden Optik ist mindestens einer der Spiegel (M2, M3, M5) als Spiegel für streifenden Einfall ausgeführt. Ein erster Spiegel (M1) ist in einem Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) angeordnet. Ein letzter Spiegel (M7) ist in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum angeordnet. Beide Halbräume (20, 21) öffnen sich jeweils in eine Spiegel-Halbraumrichtung (z), die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der jeweiligen Feldebene (6, 11) ausgehenden Normalen, die in den jeweiligen Spiegelhalbraum (20, 21) hinein verläuft. Zwischen der Objektebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) und der Bildebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) liegt ein Halbraum-Richtungswinkel vor, der kleiner ist als 30°. Bei einem zweiten Aspekt verläuft ein Abbildungslicht-Teilstrahl zwischen dem Objektfeld und dem ersten Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang und einem Winkel zu einer Normalen auf die Objektebene der kleiner ist 3°. Es resultieren bei beiden Aspekten abbildende Optiken, mit denen ein optisches System für die EUV-Mikrolithographie mit möglichst hohem EUV-Durchsatz bei gleichzeitig hoher Abbildungsqualität ausgerüstet werden kann. An imaging optical unit for EUV microlithography is configured so that, when used in an optical system for EUV microlithography, relatively high EUV throughput and high imaging quality can achieved.