HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DER HALBLEITERANORDNUNG

Halbleiteranordnung (100, 300, 400), aufweisend:* ein Substrat (16, 416) mit einer metallischen Struktur (20, 420), die an einer Oberseite des Substrats (16, 416) ausgebildet ist;* einen Halbleiterchip (22), der an der metallischen Struktur (20, 420) vorhanden ist;* einen Rückseitenelektrodenanschluss (28) in Form einer flachen Platte, der mit einem Draht (30) mit der metallischen Struktur (20, 420) verbunden ist;* einen Vorderseitenelektrodenanschluss (32) in Form einer flachen Platte, wobei der Vorderseitenelektrodenanschluss (32) parallel zu dem Rückseitenelektrodenanschluss (28) oberhalb des Rückseitenelektrodenanschlusses (28) ist, sich unmittelbar oberhalb des Halbleiterchips (22) erstreckt und direkt mit einer Oberseite des Halbleiterchips (22) verbunden ist;* ein Gehäuse (26, 326, 426), das das Substrat (16, 416) umgibt; und* ein Abdichtmaterial (44) zum Abdichten eines Inneren des Gehäuses (26, 326, 426). According to the present invention, a semiconductor device includes a substrate having a metallic pattern formed on a top surface of the substrate, a semiconductor chip provided on the metallic pattern, a back surface electrode terminal in flat plate form connected to the metallic pattern with a wire, a front surface electrode terminal in flat plate form, the front surface electrode terminal being in parallel to the back surface electrode terminal above the back surface electrode terminal, extending immediately above the semiconductor chip, and being directly joined to a top surface of the semiconductor chip, a case surrounding the substrate and a seal material for sealing an inside of the case.