Halbleiter-Package und Herstellungsverfahren dafür

Ein Halbleiter-Package weist auf: eine Umverteilungsschicht mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die einander entgegengesetzt sind, wobei die Umverteilungsschicht eine Mehrzahl erster Umverteilungs-Pads auf der ersten Oberfläche aufweist, einen Halbleiterchip auf der zweiten Oberfläche der Umverteilungsschicht, wobei eine aktive Oberfläche des Halbleiterchips der Umverteilungsschicht zugewandt ist, eine Mehrzahl leitender Strukturen auf der zweiten Oberfläche der Umverteilungsschicht, wobei die Mehrzahl leitender Strukturen vom Halbleiterchip beabstandet sind, und eine Mehrzahl von Außenverbindungsanschlüssen auf den und gekoppelt mit den leitenden Strukturen, wobei die Mehrzahl erster Umverteilungs-Pads ein Intervall aufweisen, das kleiner ist als ein Intervall der Mehrzahl von Außenverbindungsanschlüssen. A semiconductor package includes a redistribution layer having a first surface and a second surface opposite to each other, the redistribution layer including a plurality of first redistribution pads on the first surface, a semiconductor chip on the second surface of the redistribution layer, an active surface of the semiconductor chip facing the redistribution layer, a plurality of conductive structures on the second surface of the redistribution layer, the plurality of conductive structures being spaced apart from the semiconductor chip, and a plurality of external connection terminals on and coupled to the conductive structures, the plurality of first redistribution pads have a pitch smaller than a pitch of the plurality of external connection terminals.