VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte:A) Bereitstellen eines Chipträgers (13),B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13),C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (2...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte:A) Bereitstellen eines Chipträgers (13),B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13),C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14),D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, undE) Anbringen von optoelektronischen Halbleiterchips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die Halbleiterchips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.
In one embodiment the method for producing optoelectronic semiconductor components (1) comprises the following steps: A) providing a chip substrate (13); B) creating holes (14) for electrical vias in the chip substrate (13); C) producing a thin metallization (21) in the holes (14); D) filling the metallized holes (14) with a plastic filler (3); and E) attaching optoelectronic semiconductor chips (4) to the metallized holes (14) so that the semiconductor chips (4) are connected ohmically conductively to the associated metallization (21). |
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