HETEROGENE METALLLEITUNGSZUSAMMENSETZUNGEN FÜR FORTSCHRITTLICHE INTEGRIERTER-SCHALTKREIS-STRUKTUR-FERTIGUNG

Integrierter-Schaltkreis-Struktur, umfassend:eine erste Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5656A) und Vias (5657) in einer ersten dielektrischen Schicht (5654) über einem Substrat (5652) und durch diese beabstandet, wobei einzelne der ersten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5656A) und Vias (5657) ein erstes leitendes Barrierematerial (5658) entlang der Seitenwände unddes Bodens des ersten leitenden Füllmaterials (5660) umfassen, eine zweite Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5666A) und Vias (5667) in einer zweiten dielektrischen Schicht (5664) oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (5654) unddurch diese beabstandet, wobei einzelne der zweiten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5666A) und Vias (5667) ein zweites leitendes Barrierematerial (5668) entlang der Seitenwände und des Bodens des zweiten leitenden Füllmaterials (5670) umfassen, wobei das zweite leitfähige Füllmaterial (5670) eine Zusammensetzung aufweist,die von der des ersten leitfähigen Füllmaterial (5660) verschieden ist, wobei einzelne der ersten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5656A) und Vias (5657) entlang einer ersten Richtung verlaufen und einzelne der zweiten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5666A) und Vias (5667) entlang einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung verlaufen, wobei eine der leitenden Verbindungsleitungen der zweiten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5666A) und Vias (5667) direkt mit einer der leitenden Verbindungsleitungen der ersten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5656A) und Vias (5657) durch eines der Vias der zweiten Vielzahl von leitenden Verbindungsleitungen (5666A) und Vias (5667) gekoppelt ist. Embodiments of the disclosure are in the field of advanced integrated circuit structure fabrication and, in particular, 10 nanometer node and smaller integrated circuit structure fabrication and the resulting structures. In an example, an integrated circuit structure includes a first plurality of conductive interconnect lines in and spaced apart by a first ILD layer, wherein individual ones of the first plurality of conductive interconnect lines comprise a first conductive barrier material along sidewalls and a bottom of a first conductive fill material. A second plurality of conductive interconnect lines is in and spaced apart by a second ILD layer above the first ILD layer, wherein individual ones of the second plurality of conductive interconnect lines comprise a seco