Metallschienenleiter für nicht-planare Halbleiter-Bauelemente

Nicht-planare Halbleitervorrichtung mit:einem dielektrischen Bereich (112), der auf einem Substrat (102) hergestellt ist;einer Mehrzahl von Finnen (104), die aus dem dielektrischen Bereich (112) herausragen;einer Mehrzahl von Anschlussbereichen (106, 108, 110), die auf dem dielektrischen Bereich (112) angeordnet sind; undeinem ersten Schienenleiter (114), der in dem dielektrischen Bereich (112) und über dem Substrat (102) angeordnet ist, wobei der erste Schienenleiter (114) mit einem ersten Anschlussbereich der Mehrzahl von Anschlussbereichen (106, 108, 110) elektrisch verbunden ist, undeinem zweiten Schienenleiter (114), der innerhalb des dielektrischen Bereichs (112) und über dem Substrat angeordnet ist, wobei der zweite Schienenleiter (114) mit einem zweiten Anschlussbereich der Mehrzahl von Anschlussbereichen (106, 108, 110) elektrisch verbunden ist,wobei der erste Schienenleiter (114) und der zweite Schienenleiter (114) jeweils auf einer ersten Seite und einer zweiten Seite einer Finne der Mehrzahl der Finnen (104) angeordnet sind. The present disclosure describes various non-planar semiconductor devices, such as fin field-effect transistors (finFETs) to provide an example, having one or more metal rail conductors and various methods for fabricating these non-planar semiconductor devices. In some situations, the one or more metal rail conductors can be electrically connected to gate, source, and/or drain regions of these various non-planar semiconductor devices. In these situations, the one or more metal rail conductors can be utilized to electrically connect the gate, the source, and/or the drain regions of various non-planar semiconductor devices to other gate, source, and/or drain regions of various non-planar semiconductor devices and/or other semiconductor devices. However, in other situations, the one or more metal rail conductors can be isolated from the gate, the source, and/or the drain regions these various non-planar semiconductor devices. This isolation prevents electrical connection between the one or more metal rail conductors and the gate, the source, and/or the drain regions these various non-planar semiconductor devices.