Bauelement mit vergrößerter aktiver Zone und Verfahren zur Herstellung

Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Elektrode (3) und einer zweiten Elektrode (4), wobei- der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist,- die erste Elektrode zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht eingerichtet ist und einen ersten Verteilungssteg (30) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der ersten Halbleiterschicht aufweist,- die zweite Elektrode zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht eingerichtet ist und einen zweiten Verteilungssteg (40) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der zweiten Halbleiterschicht aufweist,- der erste Verteilungssteg und der zweite Verteilungssteg zumindest bereichsweise übereinander auf derselben Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sind, in Draufsicht überlappen und den Halbleiterkörper nur stellenweise bedecken,- sich der erste Verteilungssteg stellenweise durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Zone hindurch zur ersten Halbleiterschicht erstreckt, wobei die aktive Zone in Überlappungsbereichen des Halbleiterkörpers mit dem ersten Verteilungssteg nur stellenweise entfernt ist, und- der Halbleiterkörper eine Öffnung (20) aufweist, wobei der erste Verteilungssteg und der zweite Verteilungssteg in Draufsicht bereichsweise innerhalb der Öffnung und bereichsweise außerhalb der Öffnung überlappen. A component may have a semiconductor body, a first electrode, and a second electrode. The first electrode and the second electrode may be configured for electrically contacting a first semiconductor layer and a second semiconductor, respectively, and may have a first distribution track and a second distribution track for uniformly distributing current in the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively. The first distribution track and the second distribution track may be arranged regionally one above the other on the same side of the semiconductor body, overlap each other regionally in top view, and cover the semiconductor body only in certain places. Furthermore, the first distribution track may extend in places throughout the second semiconductor layer and the active zone to the first semiconductor layer. The active zone may be removed only in places in overlapping regions of the semiconductor body and the first distribution track.