Leistungshalbleitereinrichtung

Leistungshalbleitereinrichtung aufweisend ein Leistungshalbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine erste Halbleiterkörperhauptseite (3), eine der ersten Halbleiterkörperhauptseite (3) gegenüberliegend angeordnete zweite Halbleiterkörperhauptseite (4) und einen um den Halbleiterkörper (2) umlaufenden, die erste und zweite Halbleiterkörperhauptseite (3,4) verbindenden Halbleiterkörperrand (28) aufweist, wobei der Leistungshalbleiterbauelement (1) zum elektrischen Anschluss eine auf der zweiten Halbleiterkörperhauptseite (4) angeordnete erste Anschlussmetallisierung (5) aufweist, die eine erste Metallschicht (5a) aus einer ersten Aluminiumlegierung oder aus einer zweiten Aluminiumlegierung aufweist, die jeweilig Aluminium als Hauptbestandteil aufweisen,wobei die erste Aluminiumlegierung Magnesium aufweist, wobei die Masse des Magnesiums 3,4% bis 4,6% der Masse der ersten Aluminiumlegierung beträgt, wobei die erste Aluminiumlegierung Mangan aufweist, wobei die Masse des Mangans 0,1% bis 0,8% der Masse der ersten Aluminiumlegierung beträgt, wobei die zweite Aluminiumlegierung Silizium, Magnesium und Mangan aufweist, wobei die Masse des Siliziums 0,6% bis 1,4%, die Masse des Magnesiums 0,5% bis 1,3% und die Masse des Mangans 0,3% bis 1,1% der Masse der zweiten Aluminiumlegierung beträgt,und aufweisend ein Bonddraht (8) oder ein Bondband, wobei der Bonddraht (8) oder das Bondband ein Metall aus einer fünften Aluminiumlegierung oder aus einer sechsten Aluminiumlegierung aufweist, die jeweilig Aluminium als Hauptbestandteil aufweisen,wobei die fünfte Aluminiumlegierung Magnesium aufweist, wobei die Masse des Magnesiums 0,5% bis 6% der Masse der fünften Aluminiumlegierung beträgt, wobei die sechste Aluminiumlegierung Silizium, Magnesium und Mangan aufweist, wobei die Masse des Siliziums 0,5% bis 2%, die Masse des Magnesiums 0,4% bis 1,9% und die Masse des Mangans 0,4% bis 2% der Masse der sechsten Aluminiumlegierung beträgt,wobei der Bonddraht (8) oder das Bondband an die erste Metallschicht (5a) der ersten Anschlussmetallisierung (5) ultraschall gebondet ist.