Rissbeständige tiefe Grabenisolationsstrukturren

Ein Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Ätzen eines Halbleitersubstrats, um einen Graben zu erzeugen; Füllen einer dielektrischen Schicht in den Graben, wobei in dem Graben und zwischen gegenüberliegenden Teilen der dielektrischen Schicht ein Hohlraum entsteht; Ätzen der dielektrischen Schicht, um den Hohlraum freizulegen; Herstellen einer Diffusionssperrschicht auf der dielektrischen Schicht; und Herstellen einer hochreflektierenden Metallschicht auf der Diffusionssperrschicht. Die hochreflektierende Metallschicht weist einen Teil auf, der in den Graben hineinreicht. Ein übriger Teil des Hohlraums wird von der hochreflektierenden Metallschicht umschlossen. A method includes etching a semiconductor substrate to form a trench, filling a dielectric layer into the trench, with a void being formed in the trench and between opposite portions of the dielectric layer, etching the dielectric layer to reveal the void, forming a diffusion barrier layer on the dielectric layer, and forming a high-reflectivity metal layer on the diffusion barrier layer. The high-reflectivity metal layer has a portion extending into the trench. A remaining portion of the void is enclosed by the high-reflectivity metal layer.