OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER HALBLEITERKONTAKTSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei ein Halbleitermaterial der ersten und zweiten Halbleiterschicht (120, 130) jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial ist, welches ein erstes, ein zweites und ein drittes Zusammensetzungselement enthält, und einen zweiten Kontaktbereich (135) zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht (130). Der zweite Kontaktbereich (135) weist eine zweite metallische Kontaktschicht (134) sowie eine Halbleiterkontaktschicht (132) zwischen metallischer Kontaktschicht (134) und zweiter Halbleiterschicht (130) auf. Ein Halbleitermaterial der Halbleiterkontaktschicht (132) enthält das erste, zweite und dritte Zusammensetzungselement, wobei sich die Konzentration des ersten und zweiten Zusammensetzungselements von einer Position auf einer Seite der zweiten Halbleiterschicht (130) bis zu einer Position auf der Seite der zweiten metallischen Kontaktschicht (134) ändert. In an embodiment, an optoelectronic semiconductor component includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, wherein a respective semiconductor material of the first and second semiconductor layers are each a compound semiconductor material including a first, a second and a third composition element, and a second contact region configured to electrically contact the second semiconductor layer, wherein the first semiconductor layer is patterned and arranged over the second semiconductor layer, wherein the second contact region is arranged between patterned regions of the first semiconductor layer, wherein the second contact region comprises a second metallic contact layer and a semiconductor contact layer between the second metallic contact layer and the second semiconductor layer, wherein a semiconductor material of the semiconductor contact layer includes the first, second and third composition elements, and wherein a concentration of the first and second composition elements varies from a position on a side of the second semiconductor layer to a position on a side of the second metallic contact layer.