Lokale Verbindungsstruktur

Vorrichtung (200), umfassend:einen Transistor (210) mit einem Gate-Anschluss, einem ersten Source/Drain-Anschluss, der an eine Referenzmetallleitung (315) gekoppelt ist, und einem zweiten Source/Drain-Anschluss;eine lokale Verbindungsstruktur (365), die an den Gate-Anschluss gekoppelt ist und deren Leitungsführung auf einer gleichen Zusammenschaltungsebene (410) wie die Referenzmetallleitung (315) erfolgt;eine erste Verbindungsstruktur (332), die an den Source/Drain-Anschluss gekoppelt ist und deren Leitungsführung über der lokalen Verbindungsstruktur (365) erfolgt; und eine zweite Verbindungsstruktur (370), deren Leitungsführung über der lokalen Verbindungsstruktur (365) und auf der gleichen Zusammenschaltungsebene (420) wie die der ersten Verbindungsstruktur (332) erfolgt;gekennzeichnet durch:einen anderen Transistor (220) mit einem anderen Gate-Anschluss, einem dritten Source/Drain-Anschluss, der an eine andere Referenzmetallleitung (325) gekoppelt ist, und einem vierten Source/Drain-Anschluss, wobei die lokale Verbindungsstruktur (365) an den Gate-Anschluss und den anderen Gate-Anschluss gekoppelt ist;eine dritte Verbindungsstruktur (342), die an den dritten Source/Drain-Anschluss gekoppelt ist und deren Leitungsführung über der lokalen Verbindungsstruktur (365) und auf der gleichen Zusammenschaltungsebene (420) wie die der ersten und der zweitenVerbindungsstruktur (332, 370) erfolgt; undeine vierte Verbindungsstruktur (350), die an die erste und die dritte Verbindungsstruktur (332, 342) gekoppelt ist und deren Leitungsführung über der ersten, der zweiten und der dritten Verbindungsstruktur (332, 370; 342) erfolgt. The present disclosure describes an apparatus with a local interconnect structure. The apparatus can include a first transistor, a second transistor, a first interconnect structure, a second interconnect structure, and a third interconnect structure. The local interconnect structure can be coupled to gate terminals of the first and second transistors and routed at a same interconnect level as reference metal lines coupled to ground and a power supply voltage. The first interconnect structure can be coupled to a source/drain terminal of the first transistor and routed above the local interconnect structure. The second interconnect structure can be coupled to a source/drain terminal of the second transistor and routed above the local interconnect structure. The third interconnect structure can be routed above the local interconnect structure a