Speichervorrichtung mit einer Schaltung zum Erfassen eines Wortleitungsdefektes und Betriebsverfahren derselben

Eine Speichervorrichtung (100) weist eine Speicherzellenanordnung (160), die eine erste Speicherzelle, die auf einem Substrat angeordnet ist, und eine zweite Speicherzelle über der ersten Speicherzelle aufweist, eine erste Wortleitung, die mit der ersten Speicherzelle verbunden ist, und eine zweite Wortleitung, die mit der zweiten Speicherzelle verbunden ist, wobei die zweite Wortleitung über der ersten Wortleitung angeordnet ist, und eine Wortleitungsdefekt-Erfassungsschaltung (120) auf, die konfiguriert ist, um eine Zahl von Pulsen eines Pumptaktsignals (CLK_P) zu überwachen, während eine erste Spannung an die erste Wortleitung angelegt ist, um einen Defekt der ersten Wortleitung zu erfassen. Ein Spannungsgenerator (110) ist konfiguriert, um eine zweite Spannung, die sich von der ersten Spannung unterscheidet, an die zweite Wortleitung zum Programmieren der zweiten Speicherzelle anzulegen, wenn die Zahl von Pulsen des Pumptaktsignals (CLK_P) kleiner als ein Bezugswert (REF_C) ist. A memory device comprises a memory cell array including a first memory cell disposed on a substrate and a second memory cell above the first memory cell; a first word line connected to the first memory cell and a second word line connected to the second memory cell, the second word line disposed above the first word line; and a word line defect detection circuit configured to monitor a number of pulses of a pumping clock signal while applying a first voltage to the first word line to detect a defect of the first word line. The voltage generator is configured to apply a second voltage different from the first voltage to the second word line for programming the second memory cell when the number of pulses of the pumping clock signal is smaller than a reference value.