Elektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements

Es wird ein elektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer Gehäusestruktur (10) und einer in die Gehäusestruktur (10) eingebrachten Kavität (100) angegeben. Die Kavität (100) weist eine Grundfläche (100A) auf. Ferner umfasst das elektronische Halbleiterbauelement (1) eine Hilfsschicht (110), die auf der Grundfläche (100A) der Kavität (100) angeordnet ist, und eine die Hilfsschicht (110) bis mindestens zur Grundfläche (100A) der Kavität (100) durchdringende Markierung (120). Die Markierung (120) weist einen optischen Kontrast auf, der sowohl von einer optischen Eigenschaft der Gehäusestruktur (10) als auch einer optischen Eigenschaft der Hilfsschicht (110) abhängt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben. An electronic semiconductor component with a housing structure and a cavity introduced into the housing structure is specified. The cavity comprises a base surface. Furthermore, the electronic semiconductor component comprises an auxiliary layer arranged on the base surface of the cavity and a marking penetrating the auxiliary layer at least as far as the base surface of the cavity. The marking comprises an optical contrast that depends on both an optical property of the housing structure and an optical property of the auxiliary layer. Furthermore, a method for producing an electronic semiconductor component is given.