HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

Gemäß einer Ausführungsform eines hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Siliziumcarbidsubstrat (700) geschaffen, das eine Vielzahl von Vorrichtungsgebieten (650) enthält. Eine vorderseitige Metallisierung (610) kann an einer Vorderseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen werden. Das Verfahren kann ferner ein Vorsehen einer Hilfsstruktur (800) an einer Rückseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) umfassen. Die Hilfsstruktur (800) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Metallbereiche (810). Jeder Metallbereich (810) ist mit einem der Vorrichtungsgebiete (650) in Kontakt. According to an embodiment of a method described herein, a silicon carbide substrate is provided that includes a plurality of device regions. A front side metallization may be provided at a front side of the silicon carbide substrate. The method may further comprise providing an auxiliary structure at a backside of the silicon carbide substrate. The auxiliary structure includes a plurality of laterally separated metal portions. Each metal portion is in contact with one device region of the plurality of device regions.