Prozesse zur Bildung von Merkmalen mit einem niedrigen K-Wert und dadurch gebildete Aufbauten

Hier werden Halbleitervorrichtungsaufbauten mit Merkmalen mit einem niedrigen k-Wert und Verfahren zur Bildung von Merkmalen mit einem niedrigen k-Wert beschrieben. Einige Beispiele betreffen eine Oberflächenmodifikationsschicht, die ein Merkmal mit einem niedrigen k-Wert während der anschließenden Bearbeitung schützen kann. Einige Beispiele betreffen Gateabstandshalter, die ein Merkmal mit einem niedrigen k-Wert umfassen. Es werden beispielhafte Verfahren zur Bildung dieser Merkmale beschrieben. Semiconductor device structures having low-k features and methods of forming low-k features are described herein. Some examples relate to a surface modification layer, which may protect a low-k feature during subsequent processing. Some examples relate to gate spacers that include a low-k feature. Some examples relate to a low-k contact etch stop layer. Example methods are described for forming such