Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") zur Massenproduktion bearbeiteter Substrate, mit wenigstens einem Belade- und/oder Entlademodul , wenigstens einem Bearbeitungsmodul (2, 3) und einer Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substratträgers (4)...
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| Format: | Patent |
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| creator | Große, Thomas Mai, Joachim Meyer, Mirko Baumann, Karsten Köhler, Gunnar |
| description | Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") zur Massenproduktion bearbeiteter Substrate, mit wenigstens einem Belade- und/oder Entlademodul , wenigstens einem Bearbeitungsmodul (2, 3) und einer Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substratträgers (4) durch die mehreren Module der Vakuumdurchlaufanlage in einer Bearbeitungsrichtung (5), wobei von dem Substratträger wenigstens ein Substrat zur Bearbeitung in dem Bearbeitungsmodul (2, 3) aufgenommen ist, wobei die Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") mit Vorrichtungen zum Beladen und Entladen der Substrathaltevorrichtungen ausgestattet ist. Die Aufgabe der Erfindung besteht im Aufzeigen einer Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz. Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1"), die wenigstens eine erste Bearbeitungsebene (6) und eine zweite Bearbeitungsebene (7) aufweist, wobei an einem Punkt entlang der Bearbeitungsrichtung wenigstens ein Substrat in der ersten Bearbeitungsebene (6) auf einer ersten Trayplatte (8) und gleichzeitig wenigstens ein Substrat in der zweiten Bearbeitungsebene (7) auf einer zweiten Trayplatte (9) anordenbar ist, um in einem Durchlauf durch die Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") die Substrate in den Bearbeitungsebenen (6,7) zu bearbeiten, wobei die erste Trayplatte (8) und die zweite Trayplatte (9) zu einem Dual-Tray-Substratträger (10) kombinierbar ist, wobei in dem Dual-Tray-Substratträger (10) die erste (8) und die zweite Trayplatte (9) parallel aneinander angeordnet sind und wobei zumindest beide Außenseiten des Dual-Tray-Substratträgers (10) und der darin gehaltenen Substrate bearbeitbar sind.
The present invention relates to a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') for the mass production of processed substrates, comprising at least one loading and/or unloading module, at least one processing module (2, 3) and a conveying device for conveying a substrate carrier (4) through the multiple modules of the continuous-flow vacuum system in a processing direction (5), wherein the substrate carrier receives at least one substrate for processing in the processing module (2, 3), wherein the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') is equipped with devices for loading and unloading the substrate holding devices. The object of the invention is to provide a high-throughput continuous-flow vacuum system. This object is achieved by a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') which has at least a first processing plane (6) |
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The present invention relates to a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') for the mass production of processed substrates, comprising at least one loading and/or unloading module, at least one processing module (2, 3) and a conveying device for conveying a substrate carrier (4) through the multiple modules of the continuous-flow vacuum system in a processing direction (5), wherein the substrate carrier receives at least one substrate for processing in the processing module (2, 3), wherein the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') is equipped with devices for loading and unloading the substrate holding devices. The object of the invention is to provide a high-throughput continuous-flow vacuum system. This object is achieved by a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') which has at least a first processing plane (6) and a second processing plane (7), wherein at a point along the processing direction at least one substrate in the first processing plane (6) can be arranged on a first tray plate (8) and at the same time at least one substrate in the second processing plane (7) can be arranged on a second tray plate (9), in order to process the substrates in the processing planes (6, 7) in one run through the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1''), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) can be combined to form a dual-tray substrate carrier (10), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) are arranged parallel to one another in the dual-tray substrate carrier (10) and wherein at least both outer faces of the dual-tray substrate carrier (10) and the substrates held therein can be processed.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191031&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102018110392A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191031&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102018110392A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Große, Thomas</creatorcontrib><creatorcontrib>Mai, Joachim</creatorcontrib><creatorcontrib>Meyer, Mirko</creatorcontrib><creatorcontrib>Baumann, Karsten</creatorcontrib><creatorcontrib>Köhler, Gunnar</creatorcontrib><title>Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz</title><description>Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") zur Massenproduktion bearbeiteter Substrate, mit wenigstens einem Belade- und/oder Entlademodul , wenigstens einem Bearbeitungsmodul (2, 3) und einer Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substratträgers (4) durch die mehreren Module der Vakuumdurchlaufanlage in einer Bearbeitungsrichtung (5), wobei von dem Substratträger wenigstens ein Substrat zur Bearbeitung in dem Bearbeitungsmodul (2, 3) aufgenommen ist, wobei die Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") mit Vorrichtungen zum Beladen und Entladen der Substrathaltevorrichtungen ausgestattet ist. Die Aufgabe der Erfindung besteht im Aufzeigen einer Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz. Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1"), die wenigstens eine erste Bearbeitungsebene (6) und eine zweite Bearbeitungsebene (7) aufweist, wobei an einem Punkt entlang der Bearbeitungsrichtung wenigstens ein Substrat in der ersten Bearbeitungsebene (6) auf einer ersten Trayplatte (8) und gleichzeitig wenigstens ein Substrat in der zweiten Bearbeitungsebene (7) auf einer zweiten Trayplatte (9) anordenbar ist, um in einem Durchlauf durch die Vakuumdurchlaufanlage (1, 1', 1") die Substrate in den Bearbeitungsebenen (6,7) zu bearbeiten, wobei die erste Trayplatte (8) und die zweite Trayplatte (9) zu einem Dual-Tray-Substratträger (10) kombinierbar ist, wobei in dem Dual-Tray-Substratträger (10) die erste (8) und die zweite Trayplatte (9) parallel aneinander angeordnet sind und wobei zumindest beide Außenseiten des Dual-Tray-Substratträgers (10) und der darin gehaltenen Substrate bearbeitbar sind.
The present invention relates to a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') for the mass production of processed substrates, comprising at least one loading and/or unloading module, at least one processing module (2, 3) and a conveying device for conveying a substrate carrier (4) through the multiple modules of the continuous-flow vacuum system in a processing direction (5), wherein the substrate carrier receives at least one substrate for processing in the processing module (2, 3), wherein the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') is equipped with devices for loading and unloading the substrate holding devices. The object of the invention is to provide a high-throughput continuous-flow vacuum system. This object is achieved by a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') which has at least a first processing plane (6) and a second processing plane (7), wherein at a point along the processing direction at least one substrate in the first processing plane (6) can be arranged on a first tray plate (8) and at the same time at least one substrate in the second processing plane (7) can be arranged on a second tray plate (9), in order to process the substrates in the processing planes (6, 7) in one run through the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1''), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) can be combined to form a dual-tray substrate carrier (10), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) are arranged parallel to one another in the dual-tray substrate carrier (10) and wherein at least both outer faces of the dual-tray substrate carrier (10) and the substrates held therein can be processed.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNAMS8wuLc1NKS1KzshJLE1LzMtJTE9VyM0sUcjIz0jNVXAByRQnllTxMLCmJeYUp_JCaW4GVTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JJ4F1dDAyMDQwtDQwNjSyNHQ2Ni1QEAeA4qlA</recordid><startdate>20191031</startdate><enddate>20191031</enddate><creator>Große, Thomas</creator><creator>Mai, Joachim</creator><creator>Meyer, Mirko</creator><creator>Baumann, Karsten</creator><creator>Köhler, Gunnar</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20191031</creationdate><title>Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz</title><author>Große, Thomas ; 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Die Aufgabe der Erfindung besteht im Aufzeigen einer Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz. 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The present invention relates to a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') for the mass production of processed substrates, comprising at least one loading and/or unloading module, at least one processing module (2, 3) and a conveying device for conveying a substrate carrier (4) through the multiple modules of the continuous-flow vacuum system in a processing direction (5), wherein the substrate carrier receives at least one substrate for processing in the processing module (2, 3), wherein the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') is equipped with devices for loading and unloading the substrate holding devices. The object of the invention is to provide a high-throughput continuous-flow vacuum system. This object is achieved by a continuous-flow vacuum system (1, 1', 1'') which has at least a first processing plane (6) and a second processing plane (7), wherein at a point along the processing direction at least one substrate in the first processing plane (6) can be arranged on a first tray plate (8) and at the same time at least one substrate in the second processing plane (7) can be arranged on a second tray plate (9), in order to process the substrates in the processing planes (6, 7) in one run through the continuous-flow vacuum system (1, 1', 1''), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) can be combined to form a dual-tray substrate carrier (10), wherein the first tray plate (8) and the second tray plate (9) are arranged parallel to one another in the dual-tray substrate carrier (10) and wherein at least both outer faces of the dual-tray substrate carrier (10) and the substrates held therein can be processed.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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