Halbleitervorrichtung und Herstellung

Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Humbel, Oliver, Joshi, Ravi Keshav, Koch, Philipp Sebastian, Kahn, Markus, Maier, Christian, Leitl, Bernhard, Schmidt, Gerhard, Steinbrenner, Jürgen, Koprowski, Angelika
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat. A method for manufacturing a high-voltage semiconductor device includes exposing a semiconductor substrate to a plasma to form a protective substance layer on the semiconductor substrate. A semiconductor device includes a semiconductor substrate and a protective substance layer on the semiconductor substrate.