Drucksensorbauelemente und Verfahren zum Herstellen von Drucksensorbauelementen

Ein Drucksensorbauelement (2000) umfasst einen Halbleiter-Die (120) des Drucksensorbauelements (2000) und einen Bonddraht (110) des Drucksensorbauelements (2000). Eine maximale vertikale Distanz (2012) zwischen einem Teil des Bonddrahts (110) und dem Halbleiter-Die (120) ist größer als eine minimale vertikale Distanz (2014) zwischen dem Halbleiter-Die (120) und einer Oberfläche eines Gels, das den Halbleiter-Die (2010) bedeckt. A pressure sensor device includes a semiconductor die having a die surface that includes a pressure sensitive area; and a bond wire bonded to a first peripheral region of the die surface and extends over the die surface to a second peripheral region of the die surface, wherein the pressure sensitive area is interposed between the second peripheral region and the first peripheral region, wherein the bond wire comprises a crossing portion that overlaps an area of the die surface, and wherein the crossing portion extends over the pressure sensitive area that is interposed between the first and the second peripheral regions.