Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit den folgenden Schritten:Erzeugen einer Öffnung (113) entlang einem äußeren Rand an einer Oberseite eines Halbleiter-Dies (101);Überfüllen zumindest eines Teils der Öffnung (113) mit einem Puffermaterial (201), so dass es sich entlang des Randes, aber nicht über die gesamte Oberseite des Halbleiter-Dies (101) ausbreitet; undPlatzieren eines Unterfüllungsmaterials (501) benachbart zu dem Puffermaterial (201) auf der Oberseite des Halbleiter-Dies (101). In order to prevent cracks from occurring at the corners of semiconductor dies after the semiconductor dies have been bonded to other substrates, an opening is formed adjacent to the corners of the semiconductor dies, and the openings are filled and overfilled with a buffer material that has physical properties that are between the physical properties of the semiconductor die and an underfill material that is placed adjacent to the buffer material.