Halbleiter-Package und Verfahren

Bei einer Ausführungsform weist ein Bauelement Folgendes auf: eine rückseitige Umverteilungsstruktur, die eine Metallisierungsstruktur auf einer ersten dielektrischen Schicht und eine zweite dielektrische Schicht auf der Metallisierungsstruktur umfasst; eine Durchkontaktierung, die durch die erste dielektrische Schicht verläuft, um die Metallisierungsstruktur zu kontaktieren; einen integrierten Schaltkreis-Die, der zu der Durchkontaktierung auf der ersten dielektrischen Schicht benachbart ist; eine Formmasse auf der ersten dielektrischen Schicht, wobei die Formmasse die Durchkontaktierung und den integrierten Schaltkreis-Die verkapselt; ein leitfähiges Verbindungselement, das durch die zweite dielektrische Schicht verläuft, um die Metallisierungsstruktur zu kontaktieren, wobei das leitfähige Verbindungselement mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist; und eine intermetallische Verbindung an einer Grenzfläche zwischen dem leitfähigen Verbindungselement und der Metallisierungsstruktur, wobei die intermetallische Verbindung nur teilweise in die Metallisierungsstruktur hineinreicht. In an embodiment, a device includes: a back-side redistribution structure including: a metallization pattern on a first dielectric layer; and a second dielectric layer on the metallization pattern; a through via extending through the first dielectric layer to contact the metallization pattern; an integrated circuit die adjacent the through via on the first dielectric layer; a molding compound on the first dielectric layer, the molding compound encapsulating the through via and the integrated circuit die; a conductive connector extending through the second dielectric layer to contact the metallization pattern, the conductive connector being electrically connected to the through via; and an intermetallic compound at the interface of the conductive connector and the metallization pattern, the intermetallic compound extending only partially into the metallization pattern.