WAFER-CHUCK UND BEARBEITUNGSANORDNUNG

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Wafer-Chuck (100) wenigstens einen Stützbereich (100s), der dazu ausgelegt ist, einen Wafer (106) in einer Aufnahmefläche (102) zu stützen, eine von dem wenigstens einen Stützbereich (100s) umgebene zentrale Vertiefung (100c), die dazu ausgelegt ist, de...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Dastel, Wolfgang, Hütter, Harald, Kahn, Markus, Kogler, Rudolf, Steinbrenner, Jürgen
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Wafer-Chuck (100) wenigstens einen Stützbereich (100s), der dazu ausgelegt ist, einen Wafer (106) in einer Aufnahmefläche (102) zu stützen, eine von dem wenigstens einen Stützbereich (100s) umgebene zentrale Vertiefung (100c), die dazu ausgelegt ist, den Wafer (106) nur entlang eines äußeren Umkreises zu stützen, und eine die Aufnahmefläche (102) umgebende Begrenzungsstruktur, die dazu ausgelegt ist, den Wafer (106) in der Aufnahmefläche (102) zu halten, enthalten. According to various embodiments, a wafer chuck may include at least one support region configured to support a wafer in a receiving area; a central cavity surrounded by the at least one support region configured to support the wafer only along an outer perimeter; and a boundary structure surrounding the receiving area configured to retain the wafer in the receiving area.