Halbleiterlaser mit zugbeanspruchter InAlAs-Elektronensperre für 1310 Nanometer-Hochtemperaturbetrieb

Laser mit einer Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) (115) zum Betrieb bei hohen Temperaturen, umfassend:mindestens zwei Quantentöpfe aus druckbeanspruchten InGaAlAs-Schichten, die abwechselnd mit zugbeanspruchten InGaAlAs-Schichten gestapelt sind,wobei die mindestens zwei Quantentöpfe auf einer Seite...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Doussiere, Pierre
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEVICES USING STIMULATED EMISSION ELECTRICITY
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