Halbleiterlaser mit zugbeanspruchter InAlAs-Elektronensperre für 1310 Nanometer-Hochtemperaturbetrieb

Laser mit einer Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) (115) zum Betrieb bei hohen Temperaturen, umfassend:mindestens zwei Quantentöpfe aus druckbeanspruchten InGaAlAs-Schichten, die abwechselnd mit zugbeanspruchten InGaAlAs-Schichten gestapelt sind,wobei die mindestens zwei Quantentöpfe auf einer Seite durch eine n-dotierte Ummantelung aus InP und auf einer anderen Seite durch eine p-dotierte Ummantelung aus InP (119) umgeben sind, um einen doppelten Heteroübergang zu bilden;eine Begrenzungsschicht (111) aus gitterangepasstem InAlAs, die zwischen den mindestens zwei Quantentöpfen und der p-dotierten InP-Ummantelung (119) bereitgestellt ist, wobei die Begrenzungsschicht eine erste Oberfläche aufweist, die den mindestens zwei Quantentöpfen zugewandt oder benachbart davon ist, und eine zweite Oberfläche, die der p-dotierten InP-Ummantelung zugewandt oder benachbart davon ist; undeine zusätzliche Elektronenrückhalteschicht (105) aus -0,5% zugbeanspruchtem InAlAs zur Vergrößerung der Leitungsbanddiskontinuität mit einer Dicke, die kleiner als die der Begrenzungsschicht (111) ist, und die entweder einer Oberfläche der Begrenzungsschicht (111) zugewandt oder benachbart davon oder zwischen den zwei Oberflächen der Begrenzungsschicht (111) bereitgestellt ist, wobei die zusätzliche Elektronenrückhalteschicht (105) aus dem -0,5% zugbeanspruchten InAlAs eine Dicke von 8,0 bis 20,0 nm aufweist. Embodiments may relate to a multiple quantum well (MQW) laser for operating at high temperatures, comprising at least one quantum well made of compressively strained InGaAlAs layers that are alternatively stacked with tensile strained InGaAlAs layers, the at least one quantum well surrounded on one side by a n-doped InP cladding and on the other by a p-doped InP cladding so as to form a double hetero-junction. A confinement layer of lattice-matched InAlAs may be provided between the quantum well and the p-doped cladding, having a first surface facing or adjacent to the quantum well and a second surface facing or adjacent to the p-doped cladding. An additional electron containment layer of tensile strained InAlAs may be provided facing or adjacent to one surface of the confinement layer, having a thickness smaller than that of the confinement layer. Other embodiments may be described and/or claimed.