Halbleiterlaser mit zugbeanspruchter InAlAs-Elektronensperre für 1310 Nanometer-Hochtemperaturbetrieb

Ausführungsformen können sich auf einen Laser mit Mehrfachquantentopf (MQW) für den Betrieb bei hohen Temperaturen beziehen, umfassend mindestens einen Quantentopf, der aus druckbeanspruchten InGaAlAs-Schichten hergestellt ist, die abwechselnd mit zugbeanspruchten InGaAlAs-Schichten gestapelt sind, wobei der mindestens eine Quantentopf auf einer Seite von einer n-dotierten InP-Ummantelung und auf der anderen Seite von einer p-dotierten InP-Ummantelung umgeben ist, um einen doppelten Heteroübergang zu bilden. Eine Begrenzungsschicht aus gitterangepasstem InAlAs kann zwischen dem Quantentopf und der p-dotierten Ummantelung bereitgestellt sein, die eine erste Oberfläche, die dem Quantentopf zugewandt oder benachbart davon ist, und eine zweite Oberfläche, die der p-dotierten Ummantelung zugewandt oder benachbart davon ist, aufweist. Eine zusätzliche Elektronenrückhalteschicht aus zugbeanspruchtem InAlAs kann einer Oberfläche der Begrenzungsschicht zugewandt oder benachbart dazu bereitgestellt sein und eine Dicke aufweisen, die kleiner als die der Begrenzungsschicht ist. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden. Embodiments may relate to a multiple quantum well (MQW) laser for operating at high temperatures, comprising at least one quantum well made of compressively strained InGaAlAs layers that are alternatively stacked with tensile strained InGaAlAs layers, the at least one quantum well surrounded on one side by a n-doped InP cladding and on the other by a p-doped InP cladding so as to form a double hetero-junction. A confinement layer of lattice-matched InAlAs may be provided between the quantum well and the p-doped cladding, having a first surface facing or adjacent to the quantum well and a second surface facing or adjacent to the p-doped cladding. An additional electron containment layer of tensile strained InAlAs may be provided facing or adjacent to one surface of the confinement layer, having a thickness smaller than that of the confinement layer. Other embodiments may be described and/or claimed.