Halbleiteranordnung

Halbleiteranordnung, mit einer Mehrschichtstruktur aufweisend:- eine erste Halbleiterschicht (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps;- eine zweite Halbleiterschicht (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die an einer Vorderseite der ersten Halbleiterschicht (3) ausgebildet ist;- eine dritte Halbleiterschicht (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer Rückseite der ersten Halbleiterschicht (3) ausgebildet ist;- eine vierte Halbleiterschicht (5) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine fünfte Halbleiterschicht (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die an einer Rückseite der dritten Halbleiterschicht (7) oder sowohl an der Rückseite der ersten Halbleiterschicht (3) als auch der dritten Halbleiterschicht (7) auf solche Art und Weise ausgebildet sind, dass die vierte Halbleiterschicht (5) und die fünfte Halbleiterschicht (6) in einer Draufsicht benachbart zueinander sind oder benachbarte Abschnitte der vierten Halbleiterschicht (5) und der fünften Halbleiterschicht (6) sich in einer Draufsicht gegenseitig überlagern;- eine erste Elektrode (8), die eine Vorderseite der zweiten Halbleiterschicht (4) abdeckt; und- eine zweite Elektrode (16), die eine Rückseite der vierten Halbleiterschicht (5) und der fünften Halbleiterschicht (6) abdeckt, und wobei:- eine vertikale Position der vierten Halbleiterschicht (5) in der Mehrschichtstruktur und eine vertikale Position der fünften Halbleiterschicht (6) in der Mehrschichtstruktur sich voneinander unterscheiden,- eine Dicke der ersten Halbleiterschicht (3) in der Mehrschichtstruktur, die die vierte Halbleiterschicht (5) aufweist, und eine Dicke der ersten Halbleiterschicht (3) in der Mehrschichtstruktur, die die fünfte Halbleiterschicht (6) aufweist, sich voneinander unterscheiden,- die Mehrschichtstruktur des Weiteren eine dritte Elektrode (15) aufweist, die zwischen der vierten Halbleiterschicht (5) und der zweiten Elektrode (16) ausgebildet ist, und- eine Differenz zwischen der Dicke der ersten Halbleiterschicht (3) in der Mehrschichtstruktur, die die vierte Halbleiterschicht (5) aufweist, und der Dicke der ersten Halbleiterschicht (3) in der Mehrschichtstruktur, die die fünfte Halbleiterschicht (6) aufweist, identisch ist mit einer Dicke, die erhalten wird durch Addieren eines Höhenunterschieds zwischen der vierten Halbleiterschicht (5) und der fünften Halbleiterschicht (6) zu einer Dicke der dritten Elektrode (15). A semiconductor device includes a multilayer structure including an n− i layer, a p anode layer formed on th