Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Fertigung derselben

Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600),- aufweisend:- einen Leiterrahmen (20, 220, 320, 420, 620), der eine Die-Kontaktstelle (21) für ein Anbringen eines Halbleiter-Chips (12), einen ersten Anschluss (23) und einen zweiten Anschluss (22, 222, 322, 422, 622) aufweist, wobei der zweite Anschluss (22, 222, 322, 422, 622) ein Masseanschluss für eine Masseverbindung ist;- ein Versiegelungsharz (30, 230, 330, 430, 530, 630), welches den Leiterrahmen (20, 220, 320, 420, 620) bedeckt;- ein exponiertes Teil (24, 224, 324, 424, 624), welches ein Teil des zweiten Anschlusses (22, 222, 322, 422, 622) ist und von dem Versiegelungsharz (30, 230, 330, 430, 530, 630) exponiert ist; und- ein leitfähiges Material (40, 240, 340, 440, 540, 640), welches die Oberfläche des Versiegelungsharzes (30, 230, 330, 430, 530, 630) bedeckt und den zweiten Anschluss (22, 222, 322, 422, 622) an dem exponierten Teil (24, 224, 324, 424, 624) berührt,- wobei:- der zweiten Anschluss (22, 222, 322, 422, 622) einen ersten Bereich an einem Ende (11, 211, 511, 611) der Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600) und einen zweiten Bereich aufweist, wobei der zweite Bereich an den ersten Bereich anschließt und zwischen dem ersten Bereich und der Die-Kontaktstelle (21) angeordnet ist und wobei der erste Bereich dünner ist als der zweite Bereich,- der erste Bereich des zweiten Anschlusses (22, 222, 322, 422, 622) höher ist als der erste Anschluss (23),- das Versiegelungsharz (30, 230, 330, 430, 530, 630) ein dünnes Wandteil (50, 250, 550, 650) an dem Ende (11, 211, 511, 611) der Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600) aufweist, wobei die Höhe des dünnen Wandteils (50, 250, 550, 650) gleich ist zu derjenigen Höhe des ersten Bereichs des zweiten Anschlusses (22, 222, 322, 422, 622) an dem Ende (11, 211, 511, 611) der Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400, 500, 600), und- das leitfähige Material (40, 240, 340, 440, 540, 640) eine Fläche des ersten Bereichs des zweiten Anschlusses (22, 222, 322, 422, 622) berührt. A semiconductor device includes a lead frame comprising a first terminal and a second terminal for grounding, a sealing resin which covers the lead frame, an exposed part which is a part of the second terminal and is exposed from the sealing resin and a conductive material which covers the surface of the sealing resin and contacts the second terminal at the exposed part.