Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

Ein p-leitender Basisbereich, n+-leitender Source-Bereich, p+-leitender Kontaktbereich und n-leitender JFET-Bereich werden auf einer Vorderflächenseite einer Siliziumkarbidbasis durch Ionen-Implantation gebildet. Die Vorderfläche der Siliziumkarbidbasis wird thermisch oxidiert und bildet dabei einen thermischen Oxidfilm. Ein Aktivierungstempern bei einer hohen Temperatur von 1500 Grad Celsius oder höher wird bei durch den thermischen Oxidfilm abgedeckter Vorderfläche der Siliziumkarbidbasis ausgeführt. Das Aktivierungstempern wird in einer Gasatmosphäre, die Saurestoff enthält, bei einem Partialdruck von 0,01 atm bis 1 atm ausgeführt und daher kann die Dicke des thermischen Oxidfilms ohne eine Verringerung derselben beibehalten oder erhöht werden. Der thermische Oxidfilm wird als ein Gate-Isolierfilm verwendet und danach wird eine Polysiliziumschicht, die eine Gate-Elektrode wird, auf dem thermischen Oxidfilm aufgetragen, wodurch eine MOS-Gate-Struktur gebildet wird. A p-type base region, n+-type source region, p+-type contact region, and n-type JFET region are formed on a front surface side of a silicon carbide base by ion implantation. The front surface of the silicon carbide base is thermally oxidized, forming a thermal oxide film. Activation annealing at a high temperature of 1500 degrees C. or higher is performed with the front surface of the silicon carbide base being covered by the thermal oxide film. The activation annealing is performed in a gas atmosphere that includes oxygen at a partial pressure from 0.01 atm to 1 atm and therefore, the thermal oxide film thickness may be maintained or increased without a decrease thereof. The thermal oxide film is used as a gate insulating film and thereafter, a poly-silicon layer that is to become a gate electrode is deposited on the thermal oxide film, forming a MOS gate structure.