Ätzungsnachbehandlung eines elektrisch leitenden Merkmals

Implementierungen der vorliegenden Offenbarung stellen Verfahren zum Verhindern einer Kontaktbeschädigung oder -oxidation nach Bildung einer Durchkontaktierungsöffnung/Grabenöffnung bereit. In einem Beispiel umfasst das Verfahren das Ausbilden einer Öffnung in einer Struktur auf dem Substrat, um ein...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Chang, Hung Jui, Shen, Bo-Jhih, Chiu, Yi-Wei
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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