Ätzungsnachbehandlung eines elektrisch leitenden Merkmals

Implementierungen der vorliegenden Offenbarung stellen Verfahren zum Verhindern einer Kontaktbeschädigung oder -oxidation nach Bildung einer Durchkontaktierungsöffnung/Grabenöffnung bereit. In einem Beispiel umfasst das Verfahren das Ausbilden einer Öffnung in einer Struktur auf dem Substrat, um ein...

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Hauptverfasser: Chang, Hung Jui, Shen, Bo-Jhih, Chiu, Yi-Wei
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Implementierungen der vorliegenden Offenbarung stellen Verfahren zum Verhindern einer Kontaktbeschädigung oder -oxidation nach Bildung einer Durchkontaktierungsöffnung/Grabenöffnung bereit. In einem Beispiel umfasst das Verfahren das Ausbilden einer Öffnung in einer Struktur auf dem Substrat, um einen Abschnitt einer Oberfläche eines elektrisch leitenden Merkmals freizulegen, und das Bombardieren einer Oberfläche einer Maskenschicht der Struktur unter Verwendung von aus einem Plasma gebildeten Energiespezies, um reaktive Spezies aus der Maskenschicht freizusetzen, wobei die freigesetzten reaktiven Spezies eine Sperrschicht auf der freiliegenden Oberfläche des elektrisch leitenden Merkmals bilden. Implementations of the present disclosure provide methods for preventing contact damage or oxidation after via/trench opening formation. In one example, the method includes forming an opening in a structure on the substrate to expose a portion of a surface of an electrically conductive feature, and bombarding a surface of a mask layer of the structure using energy species formed from a plasma to release reactive species from the mask layer, wherein the released reactive species form a barrier layer on the exposed surface of the electrically conductive feature.