Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Leistungshalbleiterbauelement

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (101) mit einer ersten Seite (101a);Ausbilden eines Grabens (120) in dem Halbleitersubstrat (101), wobei der Graben (120) einen Boden (120a) und eine sich von dem Boden (120a) zu der ersten Seite (101a) des Halbleitersubstrats (101) erstreckende Seitenwand (120b) besitzt;Ausbilden einer Isolationsstruktur (123), die mindestens eine erste Isolationsschicht (123a), eine zweite Isolationsschicht (123b) an der Seitenwand (120b) und dem Boden (120a) des Grabens (120) und eine dritte Isolationsschicht (123c) auf der zweiten Isolationsschicht (123b) umfasst,wobei die Isolationsstruktur (123) so ausgebildet wird, dass sich ein oberes Ende der dritten Isolationsschicht (123c) komplett unterhalb einem oberen Ende der zweiten Isolationsschicht (123b) befindet, nachdem die zweite Isolationsschicht (123b) in dem oberen Abschnitt des Grabens (120) entfernt worden ist;Ausbilden einer unteren leitfähigen Struktur (131, 331, 431, 531, 631) in einem unteren Abschnitt des Grabens (120);Entfernen der zweiten Isolationsschicht (123b) in einem oberen Abschnitt des Grabens (120) unter Beibehaltung der zweiten Isolationsschicht (123b) zumindest teilweise in dem unteren Abschnitt des Grabens (120); undAusbilden einer oberen leitfähigen Struktur (132, 332, 532) in dem oberen Abschnitt des Grabens (120), wobei mindestens eine der unteren leitfähigen Struktur (131, 331, 431, 531, 631) und der oberen leitfähigen Struktur (132, 332, 532) ein Metall, eine Metalllegierung, ein Metallsilizid oder eine Kombination daraus umfasst. A method for manufacturing a semiconductor device includes: providing a semiconductor substrate having a first side; forming a trench in the semiconductor substrate, the trench having a bottom and a sidewall extending from the bottom to the first side of the semiconductor substrate; forming an insulation structure including at least a first insulation layer and a second insulation layer on the sidewall and the bottom of the trench; forming a lower conductive structure in the lower portion of the trench; removing the second insulation layer in an upper portion of the trench while leaving the second insulation layer at least partially in a lower portion of the trench; and forming an upper conductive structure in the upper portion of the trench.