Photonischer Gassensor und Verfahren zur Herstellung eines photonischen Gassensors

Es wird ein photonischer Gassensor mit den folgenden Merkmalen angegeben:- einem Bauelementgehäuse (1) mit mindestens einer Kavität (2, 3, 11),- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der in der Kavität (2, 3, 11) angeordnet ist und dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden,- einem strahlungsdetektierenden Halbleiterchip (5), der in der Kavität (2, 3, 11) angeordnet und dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu detektieren, und- einem aktiven Sensorelement (7), das einen Fluoreszenzfarbstoff (8) aufweist, der bei Anregung mit elektromagnetischer Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs aussendet, wobei sich die Intensität der ausgesandten elektromagnetischen Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs in Anwesenheit eines zu detektierenden Gases reversibel verändert.Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gassensors angegeben. A photonic gas sensor and a method for producing a photonic gas sensor are disclosed. In an embodiment a photonic gas sensor includes a component housing with at least one cavity, a radiation-emitting semiconductor chip arranged in the cavity and configured to transmit electromagnetic radiation in a first wavelength range, a radiation-detecting semiconductor chip arranged in the cavity and configured to detect electromagnetic radiation in a second wavelength range and an active sensor element having a fluorescent dye configured to emit electromagnetic radiation in the second wavelength range upon being excited by electromagnetic radiation in the first wavelength range, wherein an intensity of the emitted electromagnetic radiation in the second wavelength range changes reversibly in presence of a gas to be detected.