System und Verfahren zum Bilden einer integrierten Schaltung

IC-Designsystem, umfassend:ein nichtflüchtiges Speichermedium, auf welchem ein Satz von Befehlen codiert ist;einen Hardware-Prozessor (1102), der zum Datenaustausch mit dem nichtflüchtigen Speichermedium verbunden ist und dafür konfiguriert ist, den Satz von Befehlen auszuführen, wobei der Satz von Befehlen dafür konfiguriert ist zu bewirken, dass der Prozessor (1102):eine Abgriffzellen-Layout-Struktur (1118) auf einer Layout-Ebene anordnet, wobei die Abgriffzellen-Layout-Struktur (1118) der Herstellung einer Abgriffzelle einer Struktur einer integrierten Schaltung entspricht, wobei der Satz von Befehlen, der dafür konfiguriert ist, die Abgriffzellen-Layout-Struktur (1118) anzuordnen, Befehle (1107) umfasst zum:Anordnen einer ersten Wannen-Layout-Struktur (104, 104a, 404, 404a, 504a, 504b, 1120) auf einer ersten Layout-Ebene, wobei die erste Wannen-Layout-Struktur (104, 104a, 404, 404a, 504a, 504b, 1120) der Herstellung einer ersten Wanne (204) der Struktur der integrierten Schaltung entspricht, wobei die erste Wanne (204) einen ersten Dotierstofftyp aufweist, wobei die Befehle (1107) zum Anordnen der ersten Wannen-Layout-Struktur Befehle umfassen zum:Anordnen einer ersten Layout-Struktur, welche sich in einer ersten Richtung (X) erstreckt und eine erste Breite (W1) in die erste Richtung (X) aufweist, wobei die erste Layout-Struktur der Herstellung eines ersten Abschnitts (204a, 206a, 807a) der ersten Wanne (204) entspricht, undAnordnen einer zweiten Layout-Struktur angrenzend an die erste Layout-Struktur, wobei sich die zweite Layout-Struktur in der ersten Richtung (X) erstreckt und eine zweite Breite (W2) in die erste Richtung (X) aufweist, wobei die zweite Breite (W2) größer als die erste Breite (W1) ist, wobei die zweite Layout-Struktur der Herstellung mindestens eines zweiten Abschnitts (204b, 807b) der ersten Wanne (204) entspricht;Anordnen einer ersten Implantations-Layout-Struktur auf einer zweiten Layout-Ebene, wobei sich die erste Implantations-Layout-Struktur in der ersten Richtung erstreckt, die erste Layout-Struktur überlappt und eine dritte Breite (W3) aufweist, die größer als die erste Breite (W1) ist, wobei die erste Implantations-Layout-Struktur der Herstellung einer ersten Gruppe von Implantationen in dem ersten Abschnitt (204a, 206a, 807a) der ersten Wanne (204) der Struktur der integrierten Schaltung entspricht, wobei jede Implantation der ersten Gruppe von Implantationen den ersten Dotierstofftyp aufweist und sie in der ersten Richtung