HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM CZ-HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM CZ-HALBLEITERKÖRPER

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Reduzieren einer Konzentration von Sauerstoff in einem ersten Teil (102) eines CZ-Halbleiterkörpers (100) durch eine thermische Behandlung, wobei der erste Teil (102) an eine erste Oberfläche (103) des Halbleiterkörpers (100) grenzt;Bearbeiten des Halbleiterkörpers (100) an der ersten Oberfläche (103);Reduzieren einer Dicke des Halbleiterkörpers (100) durch Abdünnen des Halbleiterkörpers (100) an einer der ersten Oberfläche (103) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (105); und danachAusbilden einer Feldstoppzone (1121, 1122) in dem Halbleiterkörper (100) durch Protonenimplantation durch die zweite Oberfläche (105) und Ausheilen des Halbleiterkörpers (100), wobei die Feldstoppzone zumindest teilweise in dem ersten Teil (102) des CZ-Halbleiterkörpers (100) ausgebildet wird, und wobei die Feldstoppzone (1121, 1122) Dotierungsspitzen in verschiedenen vertikalen Distanzen von der zweiten Oberfläche (105) umfasst und wobei eine Sauerstoffkonzentration bei der Dotierungsspitze mit einer größten vertikalen Distanz von der zweiten Oberfläche (105) unter den Dotierungsspitzen der Feldstoppzone auf weniger als 98 % der Sauerstoffkonzentration bei der Dotierungsspitze mit einer kleinsten vertikalen Distanz von der zweiten Oberfläche (105) unter den Dotierungsspitzen der Feldstoppzone (1121, 1122) eingestellt wird. To provide a semiconductor device including a CZ semiconductor body and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method includes a step of reducing the concentration of oxygen in a first portion of a CZ semiconductor body by heat treatment. The first portion is adjacent to the first surface of the semiconductor body. The semiconductor body is processed in a first plane. The thickness of the semiconductor body is reduced by thinning the semiconductor body in a second plane opposite the first plane. After that, an electric field stopping area is formed in the semiconductor body by proton implantation through the second plane of the semiconductor body and annealing of the semiconductor body. The electric field stopping area extends into the first portion of the CZ semiconductor body.SELECTED DRAWING: Figure 1