HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM CZ-HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM CZ-HALBLEITERKÖRPER

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem ersten Teil eines CZ-Halbleiterkörpers durch eine thermische Behandlung. Der erste Teil grenzt an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper wird an der ersten Oberfläche bearbeitet. Eine Dicke des Halbleiterkörpers wird durch Abdünnen des Halbleiterkörpers an einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche reduziert. Danach wird in dem Halbleiterkörper eine Feldstoppzone durch Protonenimplantationen durch die zweite Oberfläche und Ausheilen des Halbleiterkörpers gebildet. Die Feldstoppzone erstreckt sich in den ersten Teil des CZ-Halbleiterkörpers. To provide a semiconductor device including a CZ semiconductor body and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method includes a step of reducing the concentration of oxygen in a first portion of a CZ semiconductor body by heat treatment. The first portion is adjacent to the first surface of the semiconductor body. The semiconductor body is processed in a first plane. The thickness of the semiconductor body is reduced by thinning the semiconductor body in a second plane opposite the first plane. After that, an electric field stopping area is formed in the semiconductor body by proton implantation through the second plane of the semiconductor body and annealing of the semiconductor body. The electric field stopping area extends into the first portion of the CZ semiconductor body.SELECTED DRAWING: Figure 1