Leistungshalbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Leistungshalbleiterbauelements

Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst zumindest einen Leistungstransistor, der in einer Leistungsbauelementregion eines Halbleitersubstrats angeordnet ist. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst ferner eine erste Schaltung, die in einer ersten Schaltungsregion des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite Schaltung, die in einer zweiten Schaltungsregion des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die erste Schaltungsregion des Halbleitersubstrats ist an einem ersten Rand des Halbleitersubstrats angeordnet. Die zweite Schaltungsregion des Halbleitersubstrats ist an einem zweiten Rand des Halbleitersubstrats angeordnet. Die Leistungsbauelementregion ist zwischen der ersten Schaltungsregion und der zweiten Schaltungsregion angeordnet. A power semiconductor device includes a power transistor arranged in a power device region of a semiconductor substrate. The power semiconductor device further includes a first circuit arranged in a first circuit region of the semiconductor substrate. The power semiconductor device further includes a second circuit arranged in a second circuit region of the semiconductor substrate. The first circuit region is arranged at a first edge of the semiconductor substrate. The second circuit region is arranged at a second edge of the semiconductor substrate. The power device region is arranged between the first circuit region and the second circuit region.