Halbleitervorrichtung, Mikrofon und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend:eine strukturierte Metallschicht (110), wobei die strukturierte Metallschicht (110) über einem Halbleitersubstrat (120) liegt, und wobei eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm beträgt;eine Abdeckschicht (130), wobei die Abdeckschi...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kahn, Markus, Sträußnigg, Julia-Magdalena, Pirk, Soenke, Steinbrenner, Jürgen, Kaiser, Anna-Katharina
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS DEAF-AID SETS ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKEACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS PUBLIC ADDRESS SYSTEMS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Halbleitervorrichtung (100, 200), umfassend:eine strukturierte Metallschicht (110), wobei die strukturierte Metallschicht (110) über einem Halbleitersubstrat (120) liegt, und wobei eine Dicke der strukturierten Metallschicht (110) mehr als 100nm beträgt;eine Abdeckschicht (130), wobei die Abdeckschicht (130) benachbart zu zumindest einem Teil einer Vorderseite (111) der strukturierten Metallschicht (110) und benachbart zu einer Seitenwand (112) der strukturierten Metallschicht (110) liegt, und wobei die Abdeckschicht (130) amorphes Siliziumkarbid umfasst; undeine Bond-Struktur in Kontakt mit der strukturierten Metallschicht (110). A semiconductor device comprises a structured metal layer. The structured metal layer lies above a semiconductor substrate. In addition, a thickness of the structured metal layer is more than 100 nm. Furthermore, the semiconductor device comprises a covering layer. The covering layer lies adjacent to at least one part of a front side of the structured metal layer and adjacent to a side wall of the structured metal layer. In addition, the covering layer comprises amorphous silicon carbide.