Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Verstärken eines Die in einer Halbleitervorrichtung

Eine Halbleitervorrichtung kann einen Die umfassend eine erste Hauptfläche, eine zweite Hauptfläche und Seitenflächen, welche die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche verbinden, wenigstens eine leitfähige Säule, welche auf der ersten Hauptfläche des Die angeordnet und elektrisch mit dem Die gekoppelt ist, und einen Isolierkörper, welcher auf der ersten Hauptfläche des Die angeordnet ist, der Isolierkörper umfassend eine obere Hauptfläche und Seitenflächen, wobei die wenigstens eine leitfähige Säule auf der oberen Hauptfläche des Isolierkörpers freigelegt ist und wobei die Seitenflächen des Die und die Seitenflächen des Isolierkörpers koplanar sind, umfassen. A semiconductor device includes a semiconductor die having a first main face, a second main face and side faces connecting the first main face and the second main face. The semiconductor device also includes a conductive column arranged on the first main face of the semiconductor die and electrically coupled to the semiconductor die, and an insulating body arranged on the first main face of the semiconductor die. The insulating body has an upper main face and side faces. The upper main surface of the insulating body is coplanar with a top face of the conductive pillar. The semiconductor device further includes a metal layer arranged on the top face of the conductive pillar. The side faces of the semiconductor die and the side faces of the insulating body are coplanar.