VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES SUBSTRATS UND ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG

Verfahren (1500) zum Verarbeiten eines Substrats, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Verarbeiten mehrerer Vorrichtungsgebiete in einem Substrat, die durch Zerteilungsgebiete voneinander getrennt sind, wobei jedes Vorrichtungsgebiet wenigstens eine elektronische Komponente umfasst, wobei das Verarbeiten jedes Vorrichtungsgebiets der mehreren Vorrichtungsgebiete Folgendes umfasst:Bilden einer Vertiefung in das Substrat in dem Vorrichtungsgebiet, wobei die Vertiefung durch Vertiefungsseitenwände des Substrats definiert wird, wobei die Vertiefungsseitenwände in dem Vorrichtungsgebiet angeordnet sind (1502);Bilden einer Kontaktstelle in der Vertiefung, um die wenigstens eine elektronische Komponente elektrisch zu verbinden, wobei die Kontaktstelle eine größere Porosität als die Vertiefungsseitenwände aufweist (1504);Anordnen eines Lotmaterials über der Kontaktstelle, wobei das Lotmaterial wenigstens eine Pore der Kontaktstelle wenigstens teilweise füllt; undVereinzeln der mehreren Vorrichtungsgebiete voneinander, indem das Substrat in dem Zerteilungsgebiet zerteilt wird. According to various embodiments, a method for processing a substrate may include: processing a plurality of device regions in a substrate separated from each other by dicing regions, each device region including at least one electronic component; wherein processing each device region of the plurality of device regions includes: forming a recess into the substrate in the device region, wherein the recess is defined by recess sidewalls of the substrate, wherein the recess sidewalls are arranged in the device region; forming a contact pad in the recess to electrically connect the at least one electronic component, wherein the contact pad has a greater porosity than the recess sidewalls; and singulating the plurality of device regions from each other by dicing the substrate in the dicing region.