Verfahren zum elektrischen Kontaktieren einer Leiterplatte mit einem Pin

1. Verfahren zum elektrischen Kontaktieren einer Leiterplatte (4) mit einem Pin (5), das Verfahren umfassend die Schritte:- Bereitstellen eines Pins (5) und einer Leiterplatte (4) mit einer Aufnahme (6) für den Pin (5),- Metallisieren einer Oberfläche der Leiterplatte (4) in einem Verbindungsbereich (9), in welchem sich die Aufnahme (6) befindet und in welchem eine elektrische Kontaktierung zwischen der Leiterplatte (4) und dem Pin (5) vorgesehen ist,- elektrisches Kontaktieren der Leiterplatte (4) mit dem Pin (5) in dem Verbindungsbereich (9) durch Einpressen des Pins (5) in die Leiterplatte (4) und- Umhüllen der Leiterplatte (4) und des Pins (5) in dem Verbindungsbereich (9) mit einer Umhüllung (11) aus einem Duroplastwerkstoff.2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Pin (5) hergestellt ist aus einer Kupferlegierung, welche derart beschaffen ist, dass der Pin (5) nach dem Umhüllen bei Prozesstemperaturen bis zu 180°C dauerhaft eine Anpresskraft auf die Leiterplatte (4) ausübt, die eine elektrische Kontaktierung zwischen der Leiterplatte (4) und dem Pin (5) bewirkt.3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Pin (5) eine Beschichtung aufweist, welche derart beschaffen ist, dass der Pin (5) nach dem Umhüllen bei Prozesstemperaturen bis zu 180°C dauerhaft eine Anpresskraft auf die Leiterplatte (4) ausübt, die eine elektrische Kontaktierung zwischen der Leiterplatte (4) und dem Pin (5) bewirkt.4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Pin (5) eine Geometrie aufweist, welche derart beschaffen ist, dass der Pin (5) nach dem Umhüllen bei Prozesstemperaturen bis zu 180°C dauerhaft eine Anpresskraft auf die Leiterplatte (4) ausübt, die eine elektrische Kontaktierung zwischen der Leiterplatte (4) und dem Pin (5) bewirkt.5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Leiterplatte (4) zumindest in dem Verbindungsbereich (9) aus einem Material gefertigt ist, welche derart beschaffen ist, dass die Leiterplatte (4) der dauerhaften Anpresskraft des Pins (5) und den beim Umhüllen auftretenden Prozesstemperaturen von bis zu 180°C standhält und eine dauerhafte elektrische Kontaktierung zwischen der Leiterplatte (4) und dem Pin (5) bewirkt.6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Leiterplatte (4) aus einem Material hergestellt ist, dessen Glasübergangstemperatur auf die Prozesstemperaturen während des Umhüllens abgestimmt ist.7. Leiterplatte (4) mit wenigstens einem Pin (5), wobei die Leiterplatte (4) mit dem wenigstens einen Pin (5) gem