Licht- und temperaturempfindlicher Halbleitersensor

Es wird ein licht- und temperaturempfindlicher Halbleitersensor (100) zur Verfügung gestellt, welcher ein Halbleitersubstrat (90) umfasst. Das Halbleitersubstrat (90) weist ein lichtempfindliches Halbleiterbauelement- Messpixel (1) mit einer ersten thermischen Ankopplung (11) an das Halbleitersubstr...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Senz, Volkmar, Schwarz, Mike, Schuermann, Gregor, Dirscherl, Konrad, Wang, Hailu, Herrmann, Ingo, Oertel, Martin, Junger, Andreas, Hoffmann, Dirk, Krueger, Michael, Dittmer, Helge
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein licht- und temperaturempfindlicher Halbleitersensor (100) zur Verfügung gestellt, welcher ein Halbleitersubstrat (90) umfasst. Das Halbleitersubstrat (90) weist ein lichtempfindliches Halbleiterbauelement- Messpixel (1) mit einer ersten thermischen Ankopplung (11) an das Halbleitersubstrat (90) auf. Ferner weist der licht- und temperaturempfindliche Halbleitersensor (100) ein lichtempfindliches Halbleiterbauelement-Referenzpixel (2) mit einer zweiten, von der ersten verschiedenen thermischen Ankopplung (12) an das Halbleitersubstrat (90) auf, wobei eine Bestrahlung von Mess- und Referenzpixel (1, 2) mit Licht eines vorbestimmten Wellenlängenspektrums bedingt durch die unterschiedliche thermische Ankopplung (11, 12) zu einer verschieden starken Veränderung einer an Mess- und Referenzpixel (1, 2) jeweils messbaren Spannung führt und sich ein Messsignal aus dem Spannungsunterschied dieser messbaren Spannungen ergibt. Erfindungsgemäß ist mindestens eine Gate-Struktur (50) im Halbleitersubstrat (90) realisiert, mittels welcher die Oberflächenladung des Halbleiterbauelement-Messpixels (1) und/oder des Halbleiterbauelement-Referenzpixels (2) veränderbar ist.