Herstellungsverfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Epitaxialwafers

Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Epitaxialwafers, umfassend:Einleiten eines Reinigungsgases in einen Wachstumsofen (1) zum Entfernen von dendritartigem polykristallinem Siliziumkarbid, das auf einer Innenwand des Wachstumsofens (1) anhaftet, ohne Siliziumkarbid zu ätzen;Einbringen eines Siliziumkarbidsubstrats (2) in den Wachstumsofen (1) nach dem Einleiten des Reinigungsgases; undWachsen lassen einer Siliziumkarbid-Epitaxialschicht (9) auf dem Siliziumkarbidsubstrat (2) durch Einleiten eines Prozessgases in den Wachstumsofen (1) zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Epitaxialwafers (10),wobei das Reinigungsgas mit einer Fluidenergie von 1,6E-4 J oder höher und gleichhoch oder geringer als 1,0E-1 J in den Wachstumsofen (1) eingeleitet wird undwobei das Reinigungsgas ein Inertgas oder Wasserstoffgas ist. A manufacturing method for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer includes: introducing a cleaning gas into a growth furnace to remove dendrite-like polycrystal of silicon carbide attached to an inner wall of the growth furnace; after introducing the cleaning gas, bringing a silicon carbide substrate in the growth furnace; and growing a silicon carbide epitaxial layer on the silicon carbide substrate by introducing a processing gas into the growth furnace to manufacture a silicon carbide epitaxial wafer, wherein the cleaning gas having fluid energy of 1.6E−4 [J] or higher is introduced into the growth furnace.