Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit optischer Korrekturenanordnung und Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100,400) für die Halbleiterlithographie mit einer optischen Korrekturanordnung insbesondere zur Wellenfrontkorrektur, wobei die Korrekturanordnung ein optisch wirksames Element (1) mit einer reflektierenden oder diffraktiven Oberfläche aufwei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Bleidistel, Sascha
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS OPTICS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100,400) für die Halbleiterlithographie mit einer optischen Korrekturanordnung insbesondere zur Wellenfrontkorrektur, wobei die Korrekturanordnung ein optisch wirksames Element (1) mit einer reflektierenden oder diffraktiven Oberfläche aufweist und wobei Aktuatoren (33, 33.4, 34) zur Bewegung der reflektierenden oder diffraktiven Oberfläche (11) vorhanden sind. Dabei ist das optisch wirksame Element (1) über ein flächig ausgedehntes Zwischenelement (3) auf einem Trägerelement (2) angeordnet, wobei das Zwischenelement (3) einerseits über Verbindungselemente (31) mit dem optisch wirksamen Element (1) und andererseits über Lagerelemente (32) mit dem Trägerelement (2) verbunden ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie.