Farbsensor mit winkelselektiven Strukturen

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Farbsensor mit wenigstens einem photosensitiven Element, vor dem ein Schichtstapel aus dielektrischen und strukturierten metallischen Schichten ausgebildet ist, und wenigstens einem Farbfilter, durch das auf eine Lichteintrittsseite des Farbsensors einfallende optische Strahlung gefiltert wird, bevor sie auf eine photosensitive Fläche des photosensitiven Elements trifft. Bei dem vorgeschlagenen Farbsensor ist zwischen der Lichteintrittsseite und der photosensitiven Fläche ein Array aus winkelselektiven Durchgangspassagen für die optische Strahlung ausgebildet, die jeweils nur Anteile der auf die Lichteintrittsseite des Farbsensors einfallenden optischen Strahlung auf die photosensitive Fläche gelangen lassen, die innerhalb eines begrenzten Einfallswinkelbereichs bezüglich einer senkrecht zum Farbfilter verlaufenden Achse auf die Lichteintrittsseite treffen. Der Farbsensor ermöglicht bei einer Fertigung des Farbsensors in Halbleitertechnologie eine Integration der winkelselektiven Strukturen in den CMOS-Schichtstapel. Damit lassen sich ultraflache Farbsensoren realisieren. The present invention relates to a color sensor having at least one photosensitive element, in front of which a layer stack of dielectric layers and structured metal layers is constructed, and at least one color filter, through which optical radiation incident on a light input side of the color sensor is filtered before it reaches a photosensitive surface of the photosensitive element. In the suggested color sensor, an array of angle-selective passageways is provided for the optical radiation between the light input side and the photosensitive surface, and each passageway only allows parts of the optical radiation incident on the light input side of the color sensor within a limited angle of incidence range relative to an axis extending perpendicularly to the colour filter to pass through to the photosensitive surface. When the color sensor is manufactured with semiconductor technology, it enables the angle-selective structures to be integrated in the CMOS layer stack. In this way, ultra-flat color sensors can be made.