Elektronische Steuereinheit

Elektronische Steuereinheit (4), welche eine elektronische Last (Lu, Lv, Lw) steuert, umfassend:ein Gehäuse (4a);einen Verbindungsanschluss (Tu, Tv, Tw), welcher an dem Gehäuse (4a) für eine elektrische Verbindung mit der elektrischen Last vorgesehen ist;eine erste interne Erdungsleitung (L21), welche innerhalb des Gehäuses (4a) vorgesehen ist;eine erste externe Erdungsleitung (L11), welche außerhalb des Gehäuses (4a) vorgesehen ist;einen ersten Erdungsanschluss (Tgnd1), welcher an dem Gehäuse (4a) vorgesehen ist und elektrisch über die erste interne Erdungsleitung (L21) mit dem Verbindungsanschluss (Tu, Tv, Tw) und über die erste externe Erdungsleitung (L11) mit einer Erde verbunden ist;ein niederseitiges Schaltelement (420u, 420v, 420w), welches in der ersten internen Erdungsleitung (L21) vorgesehen ist;einen Steuerkreis (40) zum Einschalten und Ausschalten des niederseitigen Schaltelements (420u, 420v, 420w);eine zweite interne Erdungsleitung (L22), welche getrennt von der ersten internen Erdungsleitung (L21) vorgesehen ist;eine zweite externe Erdungsleitung (L12), welche getrennt von der ersten externen Erdungsleitung (L11) vorgesehen ist;ein zweiter Erdungsanschluss (Tgnd2), welcher an dem Gehäuse (4a) vorgesehen ist und elektrisch über die zweite interne Erdungsleitung (L22) mit dem Steuerkreis (40) und über die zweite externe Erdungsleitung (L12) mit der Erde verbunden ist;eine Verbindungsleitung (L23), welche die erste interne Erdungsleitung (L21) und die zweite interne Erdungsleitung (L22) verbindet; undein Verbindungsschaltelement (430), welches in der Verbindungsleitung (L23) vorgesehen ist, wobeidas Verbindungsschaltelement (430) gesteuert ist, in einem Ausschaltzustand zu sein, wenn die erste externe Erdungsleitung (L11) mit der Erde normal verbunden ist, oder in einem Einschaltzustand zu sein, wenn die erste externe Erdungsleitung (L11) von der Erde abgetrennt ist;das Verbindungsschaltelement (430) ein MOSFET ist, welches einen Gate-Anschluss, einen elektrisch mit der ersten internen Erdungsleitung (L21) verbundenen Drain-Anschluss und einen elektrisch mit der zweiten internen Erdungsleitung (L22) verbundenen Source-Anschluss hat, undein Erdpotential an den Gate-Anschluss des MOSFETs angelegt ist, wenn die erste externe Erdungsleitung (L11) normal ist, und eine vorbestimmte Spannung an den Gate-Anschluss des MOSFETs angelegt ist, um den MOSFET in dem Einschaltzustand zu halten, wenn die erste externe Erdungsleitung (L11) abgetrennt ist. PROBL