Verfahren zum strukturabhängigen Füllen von Vertiefungen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum strukturabhängigen Füllen von Vertiefungen (1, 2, 3) in einem dielektrischen Substrat, bei dem in einem Schritt mindestens zwei Vertiefungen unterschiedlicher Breite oder unterschiedlichen Durchmessers (1, 2, 3) in das Substrat eingebracht werden....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Liske, Romy, Uhlig, Benjamin, Wislicenus, Marcus, Wagner-Reetz, Maik, Gerlich, Lukas
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum strukturabhängigen Füllen von Vertiefungen (1, 2, 3) in einem dielektrischen Substrat, bei dem in einem Schritt mindestens zwei Vertiefungen unterschiedlicher Breite oder unterschiedlichen Durchmessers (1, 2, 3) in das Substrat eingebracht werden. Danach wird eine erste Füllschicht (5) eines ersten Werkstoffs auf die erste Schicht (4), Wandungen der Vertiefungen (1, 2, 3) und Stege aufgebracht, wobei eine Dicke (dFilm) der aufgebrachten ersten Füllschicht (5) mindestens einer halben Breite derjenigen der Vertiefungen (1) entspricht, die die kleinste Breite oder den kleinsten Durchmesser (ITrench1) aufweist, so dass diese Vertiefung (1) durch die erste Füllschicht (5) vollständig gefüllt wird. Anschließend wird eine zweite Füllschicht (6) aus einem zweiten Werkstoff aufgebracht, so dass alle Vertiefungen (1, 2, 3) gefüllt sind und eine Substratoberfläche (7) mit dem zweiten Werkstoff bedeckt ist. Abschließend werden in Schritt v) durch chemisch-mechanisches Planarisieren der erste Werkstoff und der zweite Werkstoff von der Substratoberfläche (7) entfernt, bis die Substratoberfläche (7) freigelegt worden ist.