Projektionsbelichtungsanlage mit Sensoreinheit zur Partikeldetektion

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithographie mit einer Vorrichtung zur Detektion von in der Anlage befindlichen Partikeln. Dabei enthält die Vorrichtung eine Sensoreinheit (2) zur Aufnahme von Partikeln und eine Auswerteeinheit (3) zur Detektion der von der Sensoreinheit (2) aufgenommenen Partikel. Die Auswerteeinheit (3) ist während des Betriebes der Projektionsbelichtungsanlage (100) mit der Sensoreinheit (2) verbunden und geeignet, aus einer elektrischen Zustandsgröße das Eintreffen oder Vorhandensein von Partikeln zu bestimmen. The invention relates to a projection exposure system (100) for semiconductor lithography, comprising a device for detecting particles in the system. The device comprises a sensor unit (2) for capturing particles and an evaluation unit (3) for detecting the particles captured by the sensor unit (2). The evaluation unit (3) is connected to the sensor unit (2) during operation of the projection exposure system (100) and is intended to determine the arrival or presence of particles from an electric state parameter.