Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv

Ein Abschwächungsfilter (AF, AF', AF1, AF2, AF3) ist zur definierten Abschwächung der Intensität von Ultraviolettstrahlung (LR1I, LR2I) mit einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge aus einem Wellenlängenbereich von 150 nm bis 370 nm gemäß einer vorgebbaren örtlichen Verteilung in einem Projektions...

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Hauptverfasser: Schömer, Ricarda, Gruner, Toralf
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ein Abschwächungsfilter (AF, AF', AF1, AF2, AF3) ist zur definierten Abschwächung der Intensität von Ultraviolettstrahlung (LR1I, LR2I) mit einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge aus einem Wellenlängenbereich von 150 nm bis 370 nm gemäß einer vorgebbaren örtlichen Verteilung in einem Projektionsobjektiv (PO, PO') einer Projektionsbelichtungsanlage (WSC) für die Mikrolithographie ausgebildet. Der Abschwächungsfilter weist ein Substrat (SU, SU') und eine Absorptionsschicht (AL) auf. Das Substrat ist bei der Arbeitswellenlänge hinreichend transparent. Die Absorptionsschicht ist auf dem Substrat angeordnet und absorbiert eintreffende Ultraviolettstrahlung der Arbeitswellenlänge gemäß der vorgebbaren örtlichen Verteilung an unterschiedlichen Orten (Z1, Z2) eines Nutzbereichs (UA) unterschiedlich stark. Der Abschwächungsfilter ist zur Verringerung oder Vermeidung eines thermisch induzierten Wellenfrontveränderungsfehlers in der durch den Abschwächungsfilter hindurchgetretenen Ultraviolettstrahlung (LR1O, LR2O) aufgrund einer örtlich variierenden Erwärmung des Substrats verursacht durch die über das Substrat örtlich variierende Absorption der Ultraviolettstrahlung ausgebildet. An attenuation filter is configured to define attenuation of the intensity of ultraviolet radiation with a specified working wavelength from a wavelength range of 150-370 nm according to a specifiable local distribution in a projection lens of a microlithographic projection exposure apparatus. The attenuation filter has a substrate and an absorption layer on the substrate. The substrate is sufficiently transparent at the working wavelength. The absorption absorbs incident ultraviolet radiation of the working wavelength according to the specifiable local distribution at different locations of a used area to varying degrees. The attenuation filter reduces or avoids a thermally induced wavefront variation error in the ultraviolet radiation which has passed through the attenuation filter owing to locally varying heating of the substrate, which is caused by the absorption of the ultraviolet radiation that varies locally over the substrate. A thickness of the substrate is less than 100 μm.