Vertikaler SiC-MOSFET

Es wird ein vertikaler SiC-MOSFET (20) mit einem Sourceanschluss (2), einem Drainanschluss (4) und einem Gatebereich (36) sowie mit einer zwischen dem Sourceanschluss (2) und dem Drainanschluss (4) angeordneten, eine Dotierung einer ersten Art aufweisenden Epitaxieschicht (22), wobei in die Epitaxieschicht (22) eine sich horizontal erstreckende Zwischenschicht (24) eingebettet ist, die Bereiche (40) mit einer von der Dotierung erster Art verschiedenen Dotierung zweiter Art aufweist, bereitgestellt. Der vertikale SiC-MOSFET (20) zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest die Bereiche mit Dotierung zweiter Art (40) elektrisch leitend mit dem Sourceanschluss (2) verbunden sind. Der Gatebereich (36) kann in einem Gatetrench (39) angeordnet sein. A vertical SiC MOSFET having a source terminal, a drain terminal, and a gate region, as well as an epitaxial layer disposed between the source terminal and the drain terminal and having a doping of a first type, is furnished, a horizontally extending intermediate layer, which has regions having a doping of a second type different from the doping of a first type, being embedded into the epitaxial layer. The vertical SiC MOSFET is notable for the fact that at least the regions having doping of a second type are electrically conductively connected to the source terminal. The gate region can be disposed in a gate trench.