Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs

Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs

Vorrichtung (100, 200, 300, 400) umfassend einen lateralen HEMT, wobei der laterale HEMT mindestens eine Pufferschicht (101, 201, 301, 401) umfasst auf der eine weitere Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der weiteren Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) eine erste Ele...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Schwaiger, Stephan, Jauss, Simon Alexander
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator Schwaiger, Stephan
Jauss, Simon Alexander
description Vorrichtung (100, 200, 300, 400) umfassend einen lateralen HEMT, wobei der laterale HEMT mindestens eine Pufferschicht (101, 201, 301, 401) umfasst auf der eine weitere Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der weiteren Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) eine erste Elektrode (103, 203, 303, 403), eine Gate-Elektrode (104, 204, 304, 404) und eine zweite Elektrode (105, 205, 305, 405) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) unterhalb der Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angeordnet ist, wobei die erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) zumindest teilweise an die Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angrenzt. Device (100, 200, 300, 400) comprising a lateral HEMT, wherein the lateral HEMT comprises at least one buffer layer (101, 201, 301, 401), on which a further semi-conductor layer (102,202,302,402) is arranged, wherein a first electrode (103, 203, 303, 403), a gate electrode (104, 204, 304, 404) and a second electrode (105, 205, 305, 405) are arranged on the further semiconductor layer (102, 202, 302, 402), characterized in that a first field plate (109, 209, 309, 409) is arranged below the buffer layer (101, 201, 301, 401), wherein the first field plate (109, 209, 309, 409) at least partly adjoins the buffer layer (101, 201, 301, 401).
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Device (100, 200, 300, 400) comprising a lateral HEMT, wherein the lateral HEMT comprises at least one buffer layer (101, 201, 301, 401), on which a further semi-conductor layer (102,202,302,402) is arranged, wherein a first electrode (103, 203, 303, 403), a gate electrode (104, 204, 304, 404) and a second electrode (105, 205, 305, 405) are arranged on the further semiconductor layer (102, 202, 302, 402), characterized in that a first field plate (109, 209, 309, 409) is arranged below the buffer layer (101, 201, 301, 401), wherein the first field plate (109, 209, 309, 409) at least partly adjoins the buffer layer (101, 201, 301, 401).</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20170727&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102016200825A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20170727&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102016200825A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Schwaiger, Stephan</creatorcontrib><creatorcontrib>Jauss, Simon Alexander</creatorcontrib><title>Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs</title><description>Vorrichtung (100, 200, 300, 400) umfassend einen lateralen HEMT, wobei der laterale HEMT mindestens eine Pufferschicht (101, 201, 301, 401) umfasst auf der eine weitere Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der weiteren Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) eine erste Elektrode (103, 203, 303, 403), eine Gate-Elektrode (104, 204, 304, 404) und eine zweite Elektrode (105, 205, 305, 405) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) unterhalb der Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angeordnet ist, wobei die erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) zumindest teilweise an die Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angrenzt. Device (100, 200, 300, 400) comprising a lateral HEMT, wherein the lateral HEMT comprises at least one buffer layer (101, 201, 301, 401), on which a further semi-conductor layer (102,202,302,402) is arranged, wherein a first electrode (103, 203, 303, 403), a gate electrode (104, 204, 304, 404) and a second electrode (105, 205, 305, 405) are arranged on the further semiconductor layer (102, 202, 302, 402), characterized in that a first field plate (109, 209, 309, 409) is arranged below the buffer layer (101, 201, 301, 401), wherein the first field plate (109, 209, 309, 409) at least partly adjoins the buffer layer (101, 201, 301, 401).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAPyy8qykzOKCnNS1cozUtRCEstSkvMKErNU6gqLVLwSC0qLknNyQHJpmbmpRYr5CSWpBYl5gDlPVx9Q4p5GFjTEnOKU3mhNDeDqptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakm8i6uhgZGBoZmRgYGFkamjoTGx6gAcKjJU</recordid><startdate>20170727</startdate><enddate>20170727</enddate><creator>Schwaiger, Stephan</creator><creator>Jauss, Simon Alexander</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20170727</creationdate><title>Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs</title><author>Schwaiger, Stephan ; Jauss, Simon Alexander</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102016200825A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2017</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Schwaiger, Stephan</creatorcontrib><creatorcontrib>Jauss, Simon Alexander</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Schwaiger, Stephan</au><au>Jauss, Simon Alexander</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs</title><date>2017-07-27</date><risdate>2017</risdate><abstract>Vorrichtung (100, 200, 300, 400) umfassend einen lateralen HEMT, wobei der laterale HEMT mindestens eine Pufferschicht (101, 201, 301, 401) umfasst auf der eine weitere Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der weiteren Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) eine erste Elektrode (103, 203, 303, 403), eine Gate-Elektrode (104, 204, 304, 404) und eine zweite Elektrode (105, 205, 305, 405) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) unterhalb der Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angeordnet ist, wobei die erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) zumindest teilweise an die Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angrenzt. 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