Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMTs

Vorrichtung (100, 200, 300, 400) umfassend einen lateralen HEMT, wobei der laterale HEMT mindestens eine Pufferschicht (101, 201, 301, 401) umfasst auf der eine weitere Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der weiteren Halbleiterschicht (102, 202, 302, 402) eine erste Elektrode (103, 203, 303, 403), eine Gate-Elektrode (104, 204, 304, 404) und eine zweite Elektrode (105, 205, 305, 405) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) unterhalb der Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angeordnet ist, wobei die erste Feldplatte (109, 209, 309, 409) zumindest teilweise an die Pufferschicht (101, 201, 301, 401) angrenzt. Device (100, 200, 300, 400) comprising a lateral HEMT, wherein the lateral HEMT comprises at least one buffer layer (101, 201, 301, 401), on which a further semi-conductor layer (102,202,302,402) is arranged, wherein a first electrode (103, 203, 303, 403), a gate electrode (104, 204, 304, 404) and a second electrode (105, 205, 305, 405) are arranged on the further semiconductor layer (102, 202, 302, 402), characterized in that a first field plate (109, 209, 309, 409) is arranged below the buffer layer (101, 201, 301, 401), wherein the first field plate (109, 209, 309, 409) at least partly adjoins the buffer layer (101, 201, 301, 401).